-
在铝合金宏观缺陷的三维成像
宏观尺度缺陷的调查在铝(铝)合金快速三维(3 d)成像方法是本报告所描述的。铝(铝)合金中发挥重要的作用…读文章 -
合金的快速3 d成像的缺陷
铝(铝)合金发挥重要作用在飞机和车辆的生产,以及其他行业的产品。缺陷出现在铝合金用于生产飞机,…读文章 -
对比度增强的多晶金属——对扫描电镜样品制备
应用注释-离子铣是一个完美的替代化学腐蚀,尤其是对多晶金属,如铜。离子铣可用于增加粮食的对比…读文章 -
交叉分割Cadmiumsulphide阴极发光(CdS)
阴极发光可以用来实现光谱和高分辨率的图像在semicondoctors杂质和结构缺陷,矿物质和绝缘材料。本应用笔记解释…读文章 -
交叉分割的铜电子背散射衍射(EBSD)
申请注意徕卡新兴市场抽搐3 x -电子背散射衍射(EBSD)是一种表面技术创建衍射模式(Kikuchi-bands)。它可以用于晶体取向映射,…读文章 -
多孔陶瓷,为扫描电镜样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102 -陶瓷膜过滤器与孔隙大小到几纳米必须进行截面孔隙的结构。最小的…读文章 -
去除表面的层,扫描电镜和透射电镜样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102——有时需要移除表面层进入真正的表面结构。可以本地氧化或层来自…读文章 -
多层系统的交叉分割——EBSD完美的样品表面的准备
申请注意徕卡新兴市场抽搐3 x -电子背散射衍射(EBSD)是一种表面技术创建一个衍射图样(Kikuchi-bands)。它可以用于晶体取向映射,…读文章 -
多层系统广泛不同的溅射率,透射电镜样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102——多层系统做好准备在横截面由Si衬底,锡层厚度为几纳米和500 nm W层。所有这些…读文章 -
在遏制化合物半导体- TEM样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102——先前的研究表明,表面的积累发生在输入与氩离子研磨以传统的方式。结果是在岛屿…读文章 -
“浅槽隔离”结构——对TEM样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102——横断面结构半导体材料的制备需要机械pre-preparation非常彻底。这样做,它必须确保…读文章 -
纸样品,为扫描电镜样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102——涂布纸样品已经准备与离子束斜切为了测试过程对其适用性。使用离子束…读文章 -
对比度增强的抛光半导体结构的横截面扫描电镜样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102——抛光的表面横截面通常显示划痕和残留的研磨材料的材料或删除。文物是强烈…读文章 -
表面改性的ZnAg样本——对扫描电镜样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102——通过清洗、抛光和对比度增强软ZnAg样本应该准备获取信息关于粮食结构和…读文章 -
交叉分割EBSD的镍/铜钢
申请注意徕卡新兴市场抽搐3 x -电子背散射衍射(EBSD)是一种表面技术创建一个衍射图样(Kikuchi-bands)。它可以用于晶体取向映射,…读文章 -
薄金属箔与涂料为扫描电镜样品制备
申请注意徕卡新兴市场RES102——薄箔大多是不稳定的,因为他们的几微米的厚度。这个很难做斜切没有任何保护样品。一个…读文章