![常规制备InP的高分辨率XTEM晶格[110]图像](https://webcdn.leica-microsystems.com/fileadmin/_processed_/b/b/csm_Compound_3_a069054859.jpg "High resolution XTEM lattice [110] image of conventional prepared InP"){kind=small}
制备条件
机械pre-preparation:
InGaAsP / InP多量子阱结构的制备及InP样品。样品是双面凹陷的。铣削角不可能低于7°。
离子铣:
| 样品持有人: | Quick-clamp-holder |
| 加速电压: | 4千伏和2千伏(最后一步) |
| 铣削角度: | 7°(双面铣) |
| 样本运动: | 旋转和振荡(交替) |
结果
使用小的研磨角度和低离子能量导致非常干净的样品。不，在样本上可以看到英属岛屿。[110]定向InP的点阵图像显示了一个近乎完美的点阵。这证明了在正确的铣削参数下，常规离子铣削也能取得很好的制备效果。我们可以避免与碘离子发生反应性离子研磨。
