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铝合金宏观缺陷的三维成像
本文描述了用快速三维成像方法研究铝(Al)合金中的宏观缺陷。铝(Al)合金在工业生产中起着重要的作用。读文章 -
快速三维成像的合金缺陷
铝(Al)合金在飞机和车辆的生产以及其他行业的产品中扮演着重要的角色。飞机用铝合金中存在的缺陷,…读文章 -
多晶金属的对比度增强- SEM样品制备
应用说明-离子铣削是化学蚀刻的理想选择,特别是多晶金属,如铜。离子铣削可以提高晶粒的对比度。读文章 -
硫化镉(cd)的阴极发光截面
阴极发光可用于获得半导体、矿物和绝缘材料中的杂质和结构缺陷的光谱和高分辨率图像。本应用说明解释…读文章 -
铜的电子背散射衍射(EBSD)截面
徕卡应用说明新兴市场TIC 3X -电子背散射衍射(EBSD)是一种产生衍射图案(kikuchi -band)的表面技术。它可以用于晶体取向映射,…读文章 -
多孔陶瓷- SEM样品制备
徕卡应用说明新兴市场RES102 -陶瓷膜过滤器的孔径小于几纳米,必须研究其孔径结构的横截面。最小的…读文章 -
表面层的去除- SEM和TEM样品的制备
徕卡应用说明新兴市场RES102 -有时有必要去除表层以获得真正的表面结构。这可能是一种天然氧化物,或者来自…读文章 -
多层系统的横截面- EBSD完美样品表面的制备
徕卡应用说明新兴市场TIC 3X -电子背散射衍射(EBSD)是一种产生衍射图案(kikuchi -band)的表面技术。它可以用于晶体取向映射,…读文章 -
溅射速率大不相同的多层体系- TEM样品制备
徕卡应用说明新兴市场RES102 -横截面上要制备的多层系统包括一个Si衬底,一个厚度为几纳米的TiN层和一个500纳米的W层。所有这些…读文章 -
含化合物半导体- TEM样品制备
徕卡应用说明新兴市场RES102 -以前的研究表明,当以常规方式用Ar离子研磨InP时,会发生In的表面堆积。结果是在岛屿上…读文章 -
“浅沟槽隔离”结构- TEM样品制备
徕卡应用说明新兴市场结构半导体材料的横截面制备需要非常彻底的机械准备。在做这件事的时候,必须确保……读文章 -
纸张样品-扫描电镜样品制备
徕卡应用说明新兴市场RES102 -用离子束斜切法制备了涂布纸样品,以测试该方法的适用性。用离子束……读文章 -
金属薄膜和薄板- TEM样品制备
徕卡应用说明新兴市场RES102 -大多数金属薄膜已经具有不需要进一步机械预处理的厚度。然而,它们通常也是圆顶的,这可能导致……读文章 -
半导体结构抛光截面的对比度增强- SEM样品制备
徕卡应用说明新兴市场RES102 -经过抛光的横截面表面经常显示出细微的划痕和去除材料或研磨材料的残留物。这些文物非常…读文章 -
ZnAg样品的表面改性- SEM样品制备
徕卡应用说明新兴市场RES102 -通过清洗、抛光和增强对比度的方法制备软ZnAg样品,以获得有关晶粒结构和…读文章 -
EBSD钢上Ni/Cu的横截面
徕卡应用说明新兴市场TIC 3X -电子背散射衍射(EBSD)是一种产生衍射图案(kikuchi -band)的表面技术。它可以用于晶体取向映射,…读文章