制备条件
1.步骤（清洁）：
| 加速电压： | 4 kv. |
| 枪电流： | 2马 |
| 样品运动： | 70°振荡 |
| 铣削角度： | 10° |
| 铣削时间： | 10分钟 |
2.步骤（抛光）：
| 加速电压： | 6 kV. |
| 枪电流： | 2.5马 |
| 样品运动： | 回转 |
| 铣削角度 | 5° |
| 铣削时间： | 20分钟 |
（图片：FEMSCHWÄBISCHGMÜND）
结果
图。图1显示了机械抛光后的样品表面。人们可以看到一些划痕。关于晶粒结构的信息非常弱。只有一些谷物可见。表面看起来“有雾”。在离子铣削后样品表面看起来好多。现在清楚地看到真正的晶粒结构和结构细节。铣削程序可以去除覆盖真实样品结构的涂片材料。清洁步骤之后是另外的抛光步骤以去除可能的表面粗糙度。
