利用自适应碳丝蒸发进行多次蒸发是获得厚度均匀、机械稳定性好的超薄碳膜的有利工艺。这些薄膜需要用一个有洞的碳或量化栅格来支撑。这种碳膜的合成方法可以在本文中找到徕卡EM ACE600应用注:“从你的样品中揭示更多的方法:超薄碳膜'．
多次蒸发过程确保了碳膜的平滑和均匀的密度，这些特性对于原子尺度的实验是至关重要的。高度均匀的密度是由于缺乏大的碳团簇，这通常是在制备膜与传统的碳螺蒸发过程。
图1为CdSe/CdS核/壳纳米棒的原子尺度成像数据(HAADF-STEM)。当第一次沉积在新制成的碳膜上时，由于纳米棒悬浮液中的污染物，STEM成像过程中的污染是一个主要问题(图1A)。如果使用低功率设置，等离子清洗可以用来分解和解吸污染物。然而，样品和薄的碳膜都会受到不利的影响，特别是当氧气被用来制造等离子体时。
另一种方法是进行高真空烘烤来解吸污染物。在加热时，污染物的蒸汽压力将上升，促进解吸。图1B和1C显示了处理后试样的放大图像。污染几乎消除，甚至可以获得一系列15个投影图像的角度范围从-70到70度。在图像1D中可以看到显示纳米棒CdS核心位置的三维重建。
